Samsung начнет производить 300-слойные чипы флеш-памяти

В следующем году компания Samsung Electronics намеревается приступить к массовому производству трехмерной флеш-памяти 9-го поколения с архитектурой двойного стека.

Такие чипы будут выпускаться с использованием метода двойного стекирования, который Samsung впервые применила при производстве 176-слойных микросхем 3D NAND 7-го поколения в 2020 году.

Методом подразумевается создание одного стека 3D NAND на кремниевой пластине диаметром 300 мм и последующее наслоение второго стека поверх первого. На основе чипов флеш-памяти высокой плотности с более чем 300-ми слоями можно будет создавать недорогие твердотельные накопители или удешевлять SSD, уже представленные на рынке, сообщается на портале 3dnews.ru.

Будь в курсе самых интересных новостей от MOS.NEWS, подписывайся на наш Telegram.

пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ: https://goodcopy.su/